设备性能纯度分析

检测项目

1.化学成分分析：体材料杂质元素分析、表面污染元素分析、薄膜成分定量、掺杂浓度深度剖析、氧碳含量测定。

2.晶体结构表征：晶体取向测定、晶格常数测量、结晶质量测试、缺陷密度分析、相结构鉴定。

3.电学性能测试：电阻率与方阻测量、载流子浓度与迁移率分析、少数载流子寿命测试、击穿电压特性测试。

4.表面与界面分析：表面粗糙度测量、薄膜厚度测定、界面态密度分析、氧化层质量测试、沾污检测。

5.光学性能检测：光致发光谱分析、反射谱与透射谱测量、缺陷发光中心鉴定、光学带隙确定。

6.机械性能测试：纳米压痕硬度测量、薄膜应力分析、杨氏模量测定、断裂韧性测试。

7.热学性能分析：热导率测量、热膨胀系数测定、比热容分析、热稳定性测试。

8.微观形貌观测：表面微观形貌观察、截面结构分析、颗粒与缺陷尺寸统计、三维形貌重建。

9.深度剖析：元素浓度随深度分布分析、掺杂剖面测量、界面混合程度测试、薄膜均匀性检验。

10.纯度等级评定：主体元素纯度定量、特定痕量杂质元素检测、纯度综合等级判定、洁净度测试。

11.失效分析：漏电通路定位、热点探测、缺陷结构解析、污染源追溯、失效机理判定。

检测范围

硅抛光片、外延硅片、砷化镓晶圆、磷化铟衬底、氮化镓外延层、碳化硅单晶、锗片、二氧化硅介质层、氮化硅钝化层、多晶硅栅极材料、金属互连线薄膜、光刻胶、化合物半导体外延材料、硅基异质集成材料、晶圆键合界面、封装用环氧树脂、焊料合金、引线框架镀层、陶瓷封装基板

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于对材料进行极微量元素成分分析及深度剖析；具备极高的检测灵敏度与深度分辨率。

2.高分辨X射线衍射仪：用于精确分析材料的晶体结构、晶格应变与缺陷；可进行非破坏性的晶体质量定量测试。

3.霍尔效应测试系统：用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率等关键电学参数；通常与变温装置联用。

4.原子力显微镜：用于表征材料表面的三维纳米级形貌与粗糙度；并可通过特定模式测量表面力学或电学性质。

5.辉光放电质谱仪：用于块体材料中从主量到痕量元素的快速定量分析；特别适用于高纯材料的纯度检定。

6.傅里叶变换红外光谱仪：用于分析材料中的分子键、官能团及特定杂质含量；可测定硅中间隙氧和替代碳的浓度。

7.扫描电子显微镜：用于高分辨率观察材料表面的微观形貌与结构；配备能谱仪后可进行微区元素成分分析。

8.四探针电阻测试仪：用于快速、非破坏性测量半导体晶圆或薄膜的电阻率与方阻；操作简便，测量稳定。

9.深能级瞬态谱仪：用于检测半导体中深能级杂质和缺陷的浓度、能级位置及俘获截面；灵敏度极高。

10.椭偏仪：用于非接触、非破坏性测量薄膜的厚度、光学常数；可实时监控薄膜生长过程。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.